技术编号:11955945
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。包括电感器的射频集成电路及其制造方法相关申请的交叉引用本申请要求2014年11月17日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请号10-2014-0160278的优先权,其全部内容通过引用并入本文中。技术领域本公开内容的各种实施例涉及射频集成电路,更具体而言,涉及包括电感器的射频集成电路以及其制造方法。背景技术随着移动通信系统的发展,利用互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺技术所实现的射频集成电路(RFIC)在需求上渐增。RFIC的性能已经随着CMOS工艺技术的发展而持续地改善以提供高性能的MOS晶体管...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。