技术编号:11955950
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及用于FinFET器件的方法和结构。背景技术半导体集成电路(IC)产业经历了指数式发展。IC材料和设计中的技术进步已经产生了数代的IC,其中每代IC都具有比上一代IC更小和更复杂的电路。在IC发展过程中,功能密度(即,每一芯片面积上互连器件的数量)通常已经增加而几何尺寸(即,使用制造工艺可以制造的最小的部件(或线))却已减小。通常这种按比例缩小工艺通过提高生产效率和降低相关成本而带来益处。这种按比例缩小工艺也增加了处理和制造IC的复杂度。由于包括促进按比例缩小工艺的多种原因,诸如鳍式场效...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。