技术编号:11956075
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于功率半导体器件技术领域,涉及一种逆导型IGBT(绝缘栅双极型晶体管)。背景技术逆导型IGBT最早由HidekiTakahashi在文献“1200VReverseConductingIGBT”(04’ISPSD)中提出,其原理是将反并联的IGBT和二极管集成在一块芯片以实现双向导通(如说明书附图1所示)。逆导型IGBT的优势是能够有效避免传统IGBT和二极管在封装过程中产生的寄生效应,并且降低制造成本。逆导型IGBT的一般做法是将传统IGBT一部分P型集电区由N型集电区取代,如说明书附图...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。