技术编号：11956104
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于超大规模集成电路领域中逻辑器件与电路领域，涉及一种小尺寸增加开态电流的纵向隧穿TFET器件，具体为一种增加开态电流的隧穿场效应晶体管。背景技术随着光刻，注入等工艺技术的进步，芯片的集成度越来越高，功耗密度也随之增大；而且，MOSFET器件的特征尺寸越来越小，短沟效应、GIDL(栅致漏极泄漏电流)变得严重，进一步使关态电流增大。因此，功耗问题的解决直接影响到芯片集成度的提高。寻找漏电小的器件结构是解决集成电路静态功耗问题的最直接的办法，比如I-MOS(碰撞电离MOSFET)、TFET。理...
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