技术编号：11956106
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于超大规模集成电路中的逻辑器件与电路领域，具体涉及一种可提高开态电流的小尺寸隧穿场效应晶体管(TFET)。背景技术在摩尔定律的指导下，微处理器的集成度不断提高，推动了逻辑开关器件的发展。而在逻辑开关器件中，隧穿场效应晶体管(TFET)因其具有较高的开态电流、较低的关态电流、较小的亚阈值摆幅以及优秀的开关比，已成为半导体器件领域中研究的热点。隧穿场效应晶体管(TFET)不同于以往的场效应晶体管，它是以量子力学为依据，通过带-带隧穿进行工作的；通过施加栅压，改变本征区的能带，使得源区的载流子...
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