半导体装置的制作方法技术资料下载

技术编号:11956164

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本发明涉及具有高速开关特性并具有软开关特性的二极管。背景技术近年来,用于高频整流的开关二极管被要求高速化。为了使二极管高速化,需要将半导体元件内的载流子的寿命时间调整得较短来缩短电流的反向恢复时间,作为其办法,公知以下的办法等:在半导体中使用轻离子照射、电子射线照射等,导入作为寿命控制体来发挥功能的结晶缺陷,缩短反向恢复时间。专利文献1:日本特开210-109031号公报三垦电气但是,存在这样的问题:在导入结晶缺陷来缩短反向恢复时间的情况下,反向电流波形的上升坡度变得急剧而得不到软开关特性。发明...
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