技术编号：11956165
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域总体上涉及半导体器件，并且更具体地涉及包括半导体结构诸如快恢复二极管的半导体器件以及用于制造此类半导体器件的方法，其中诸如快恢复二极管的半导体结构具有例如稳定的反向偏置击穿电压。背景技术包括快恢复二极管(“FRED”)的半导体器件为人们所熟知，并且为肖特基二极管和P-N结二极管的混合。相比于仅在P-N结二极管或肖特基二极管中可用的布置来说，这种布置在更高的电流下产生更低的正向压降，以及更高的切换速度。当从电流通过模式(当半导体器件正向偏置时)切换回电流阻断模式(当半导体器件反向偏置时)时...
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