技术编号:11956243
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种太阳电池,具体地,涉及一种含有双谱段布拉格反射器的晶格匹配窄禁带多结太阳电池。背景技术III-V族半导体太阳电池相较于传统的硅太阳电池,其转换效率高、抗辐照能力强、温度特性好等优点,被公认为是新一代高性能长寿命空间主电源,已在航天领域得到广泛应用。随着化合物半导体生长技术(如金属有机化合物汽相外延——MOCVD)的不断进步,III-V族太阳电池的效率得到了很大提高,当前AM0光谱下转换效率最高的太阳电池是半导体直接键合五结太阳电池,其转换效率超过36%。如何进一步提升III-V族太...
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