技术编号:11956260
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于硅太阳能电池技术领域,特别涉及一种石墨衬底浓度渐变P型多晶硅薄膜的制备方法。背景技术在众多类型的太阳能电池中,晶体硅太阳电池在光伏发电市场占有绝大部分的比例,是当前光伏发电的主力。当前对于晶体硅太阳电池的成本控制已经做得很好,但是发电成本仍然高于传统能源。如何进一步降低成本,提高太阳能发电的竞争力是我们需要解决的重要问题。多晶硅薄膜电池效率相对较高,耗材却大大减少,是降低发电成本的重要途径。在异质衬底上,直接沉积多晶硅薄膜,制作多晶硅薄膜太阳电池,可以省去多晶硅重熔、铸锭、切片和扩散等...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。