技术编号:11956342
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本公开涉及芯片封装体,且特别涉及一种发光二极管芯片封装体。背景技术发光二极管芯片封装体中的发光二极管(LED)是利用于一基底上形成主动层之且于基底上沉积不同导电和半导电层的方式所形成。利用p-n结中的电流,电子-空穴对的再结合(recombination)辐射可用于产生电磁辐射(例如光)。在例如GaAs或GaN的直接能隙材料(directbandgapmaterial)形成的顺向偏压的P-N结中,注入耗尽区中的电子-空穴对的再结合导致电磁辐射发光。上述电磁辐射可位于可见光区或非可见光区。可利用具...
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