技术编号：11956432
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及量子点材料领域，尤其涉及一种多阱结构量子点、QLED及制备方法。背景技术量子阱结构材料如GaN，在冷光源发光二极管以及激光领域应用较多，由于其结构产生的直接带隙跃迁率较高，所以相应的发光效率较高。然而量子阱量子点(QDQW)在量子点领域研究较少，主要是由于其相对低的荧光强度以及较宽的半峰宽，其原因是零维球形的量子阱量子点结构相对于二维的量子阱材料发光机制不同，零维球形的量子阱量子点发光是阱层与内核以及壳层共同的发光效果，而二维的量子阱材料是依据阱层内的阱材料发光电子和空穴几乎全部被束缚...
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