技术编号：11962259
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及毛细管放电EUV光源技术。背景技术国际上光刻技术已经发展到了刻线达到20nm以下的极大规模集成电路制造装备和成套工艺阶段，为此我国科技发展2020年规划确定我国到2020年实现小于20nm的光刻刻线指标。对此发展极紫外光(13.5nm)光刻技术，是实现这一规划的一条途径，目前国际上的极紫外光刻光源的技术主要有三种，第一种是激光等离子体极紫外光光刻技术(LPP技术)，第二种是同时发展起来的放电等离子体极紫外光光刻技术(DPP技术)，其以毛细管放电Z箍缩为主，第三种是在DPP技术基础上的发...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。
该类技术注重原理思路，无完整电路图，适合研究学习。