技术编号：11964543
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及集成磁阻传感器，特别是三轴磁阻传感器，并且涉及其制造方法。在下面描述中，将特别参考各向异性磁阻(AMR)传感器，然而并不限于此，本发明也适用于诸如巨磁阻(GMR)传感器和隧道磁阻(TMR)传感器的其他类型的磁阻传感器和对与其所集成的芯片平行的磁场敏感的其他集成磁场传感器。背景技术如已知的，磁阻传感器利用适当的铁磁体材料(所谓的磁阻材料，例如由Fe-Ni合金形成的名为“透磁合金”的已知材料)的能力，从而在存在外部磁场的情况下改变铁磁体的电阻。当前，磁阻传感器是从磁阻材料条获得的。在制造期...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。