技术编号:11964696
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及根据负载电容进行适当的升压动作的升压电路。背景技术在可电性地删除/写入/读出的EEPROM等非易失性存储器中,在进行删除/写入动作时,需要对所选择的存储单元施加电源电压VCC以上的高电压,使用对输入电压进行升压的电荷泵(chargepump)电路来产生期望的高电压。通常,EEPROM有时以比特(byte)单位选择存储单元并进行删除/写入动作,或者选择所有存储单元进行删除/写入动作。这样根据所选择的存储单元的数量,负载电容会不同,从电源电压VCC到达期望的升压电压VPP的时间(升压电压到...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。