技术编号:11965526
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种电容式传感器,尤其涉及诸如声学传感器和压力传感器等电容式传感器。背景技术(专利文献1的声学传感器)图1是示出专利文献1中描述的声学传感器的结构的平面图。图2是沿图1的X-X线所取的剖视图。在声学传感器11中,导电性振动膜14(活动电极膜)设置在硅基板13的顶面上,背腔12垂直地穿透硅基板13,由SiO2制成的基部单元15形成在硅基板13的顶面上以便围绕振动膜14,并且比基部单元15更薄的接触层16形成在基部单元15外侧的区域中。由绝缘材料(SiN)制成的保护膜17形成在硅基板13的...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。