技术编号:11970915
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及具有沟槽栅极构造的纵型MOS晶体管的半导体装置及其制造方法。背景技术近年来,多种多样的便携设备流通,具有高能量密度且不发生记忆效应的Li离子电池多用作其电源。与此相伴的是,检测Li离子电池的过度充电、过度放电的保护用IC也成为必须。例如,关于面向便携电话的Li离子电池,为3.6V左右的电池电压,但在充电时,也有时候施加20V以上的电压,作为IC,要求含有高耐压的元件。此时,在想要通过CMOS晶体管工艺而满足上述IC的规格的情况下,有必要形成适合于低耐压的MOS晶体管和适合于高耐压的MO...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。