技术编号:11970919
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体存储器器件,具体而言,涉及磁随机存取存储器中的磁隧道结及其形成方法。背景技术一些半导体器件包括用于储存信息的存储器器件。半导体存储器器件中的最新发展是磁随机存取存储器(MRAM)器件。MRAM器件包括设置在不同方向上的导线(字元线和位元线),例如,在不同的金属层中相互垂直。导线夹在包括磁隧道结(MTJ)的电阻式MRAM单元之间,MTJ充当磁存储器单元。MRAM单元是一种能够储存数字信息位元(二进制0或1)的非易失性存储器形式。MRAM数字数据存储不像在传统的RAM元件中按照电荷进...
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