技术编号:11972111
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件技术领域,特别是涉及一种AlGaN/GaN异质结场效应晶体管。背景技术由于Si与GaAs为代表的前两代半导体材料的局限性,第三代宽禁带半导体材料因为其优异的性能得到了飞速发展。GaN材料作为第三代半导体材料的核心之一,相比Si,GaAs和碳化硅(SiC)特殊之处在于其所具有极化效应。利用这种特殊性能人们研制了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管,AlGaN/GaNHEMTs是以AlGaN/GaN异质结材料为基础而制造的GaN基微电子器件。AlGaN/GaN异质结通过自发极化和...
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