技术编号:11990340
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及一种自热效应检测结构,特别是涉及一种FinFET自热效应的检测结构。背景技术在先进互补金属氧化物半导体(CMOS)产业中,随着22nm及更小尺寸的到来,为了改善短沟道效应并提高器件的性能,鳍式场效应晶体管(FinField-effecttransistor,FinFET)由于其独特的结构被广泛的采用。如图1所示,常规平面结构的场效应晶体管包括:衬底1、氧化层2、及栅极3。而鳍式场效晶体管的结构通常是在绝缘体上硅基片上形成,包括狭窄而独立的硅条,作为垂直的沟道结构,也称为鳍。具体如图...
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