技术编号:11991007
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及快闪存储器领域,特别涉及一种改善快闪存储器擦除性能的方法。背景技术众所周知,快闪存储器(flashmemory)是一种非易失性存储器(Non-volatilememory),其包括大量的存储单元。每一个存储单元包括能够保存电荷的浮动栅极场效应晶体管。典型的快闪存储器通过改变浮动栅极中电子的数量来存储数据:将电子注入到一个存储单元的浮动栅极时,该存储单元的阈值电压增加,这时该存储单元处于已编程状态;而当将该存储单元的浮动栅极中俘获的电子去除后,该存储单元的阈值电压降低,这时该存储单元处于...
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