技术编号:11991094
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明的实施例涉及半导体发光器件。背景技术在晶片级LED封装技术中,封装工艺在晶片状态下共同执行,在切割之后为了在安装时区分阳极和阴极而提供在单个半导体发光元件的外形的标记会导致较低生产率。引用文献专利文献PTL1:美国专利申请公布No.2010/0148198。附图说明图1A是实施例的半导体发光器件的示意性截面图,图1B是该实施例的半导体发光器件的外部端子的示意性平面图。图2A至图2D示出实施例的半导体发光器件的外部端子的其它特定示例。图3A至图14B是示出用于制造实施例的半导体发光器件的方法...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。