技术编号:11992457
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于低维结构半导体光电子材料技术领域,具体涉及一种暴露{111}晶面Cu2Se/Cu2O超晶格亚微米线的制备方法。背景技术近年来,人们发现半导体纳米材料的物理化学性能不仅取决于尺寸和形貌,而且还与其暴露晶面有关(J.Am.Chem.Soc.2009,131,4078-4083;Chem.Commun.2010,46,1893-1895)。因此,具有高反应活性面半导体纳米材料的制备引起人们极大关注,成为纳米材料的研究热点(Adv.Mater.2012,24,229-251)。然而,高反应活性...
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