技术编号：11995594
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及即使在形成薄的膜厚(例如20nm以下)的抗蚀剂下层膜的情况下，也可以形成没有缺陷的均匀的膜的形成光刻用抗蚀剂下层膜的组合物，以及使用该形成抗蚀剂下层膜的组合物的抗蚀剂图案形成方法。背景技术一直以来，在半导体装置的制造中，利用使用抗蚀剂组合物的光刻进行微细加工。上述微细加工为在硅晶片等半导体基板上形成光致抗蚀剂组合物的薄膜，在其上隔着描绘有器件的图案的掩模图案来照射紫外线等活性光线，进行显影，将所得的光致抗蚀剂图案作为保护膜对基板进行蚀刻处理，从而在基板表面形成对应于上述图案的微细凹凸的...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。