技术编号：11996097
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。离子植入机与控制其中离子束的系统相关申请交叉参考本申请主张于2013年5月3号提申的美国临时专利申请案第61/819,080号的优先权。技术领域本发明是关于一种离子植入装置，更特别的是，关于离子植入装置中的离子束均匀度控制。背景技术现今用于半导体电子、太阳电池与其他技术的工业是仰赖用于掺杂或者调整硅与其他类型的基板的离子植入系统。典型的离子植入系统通过产生离子束且将其导向至基板内使得离子保持在基板下方来进行掺杂。在许多应用中，在基板上方扫描具有经定义的形状与离子束区域(诸如点束或带束)的离子束，...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。