技术编号:11996409
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体技术领域,具体涉及一种高速InGaAs光电探测器芯片倒装集成结构及制作方法。背景技术随着光纤通信技术的不断发展,10Gb/s及以上高速光纤通信网得到了快速的发展和广泛的应用。10Gb/sInGaAs/InPPIN光电二极管(PIN-PD)或雪崩光电二极管(APD)用于高速光信号的接收检测,是10Gb/s及以上高速光纤通信中的核心芯片之一。现有10Gb/s速率及以上PIN-PD或APD管芯采用正面垂直入射光,P、N电极异面结构,芯片正面欧姆接触P电极接触环占用了有源区面积,导致芯片...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。