技术编号:11996604
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及太阳能电池领域,特别是涉及一种隧穿硅氧氮层钝化接触太阳能电池及其制备方法。背景技术隧穿氧化层钝化接触(TunnelOxidePassivatedContact,TOPCon)太阳能电池是近年来由德国弗兰霍夫太阳能研究所提出的一种新型硅太阳能电池。电池采用n型硅片,硅片背面覆盖一层2nm以下的氧化硅层作为钝化隧穿层,然后再覆盖一层掺杂薄膜硅层,使电池的背面钝化。隧穿氧化层钝化接触太阳能电池的基本电池结构参见图1所示,太阳能电池的背面结构依次为n型硅片、钝化隧穿层(氧化硅层)、掺杂n型薄膜...
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