技术编号：12005202
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及半导体设备技术领域，具体涉及一种酸槽。背景技术在半导体制造工艺中，最主要的刻蚀方法有两种：湿法刻蚀和干法刻蚀。在湿法刻蚀中，通过刻蚀液其与晶圆表面对应膜层发生反应，从而使其溶解于刻蚀剂中。目前湿法刻蚀工艺多采用槽式湿法刻蚀工艺，即，多片晶圆放置于同一酸槽内，再通过刻蚀液的流动，清除其表面玷污或者刻蚀指定膜层。但是，申请人发现，由于传统的酸槽内部空间是连通的，刻蚀液会在整个酸槽中流动，附着于某一片或者几片晶圆表面的污染物颗粒会在整个酸槽内随之流动，进而玷污其它干净的晶圆，即，存在交叉...
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