技术编号:12005278
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。一种GaNHEMT器件技术领域本实用新型涉及半导体技术领域,尤其涉及一种GaNHEMT器件。背景技术半导体电力电子器件,也就是半导体功率器件,主要用在电子系统的功率转换和控制电路中,是半导体器件的重要组成部分,广泛应用于国防工业、商业民用、工业控制等众多领域。随着半导体行业的发展,半导体材料已经历了三代,分别是以Si为代表的第一代、以GaAs和InP为代表的第二代和以GaN和SiC为代表的第三代半导体材料,随着器件性能的不断提高,传统的Si基、GaAs基器件性能已逐渐接近其理论极限,虽然超节结构...
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