技术编号:12005284
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造技术领域,特别涉及一种CMOS器件的制造方法。背景技术随着CMOS制造工艺的发展,MOSFET的最小栅长已经达到深亚微米,短沟道效应(shortchanneleffect)和热载流子注入效应(hotcarrierinjection)对器件的影响更加显著。对于深亚微米CMOS器件而言,热载流子注入效应是影响器件可靠性的关键因素。这是因为器件尺寸变小了,而工作电压并没有减少很多,所以相应的电场强度增加了,导致电子的运动速率增加。当电子的能量足够高的时候,就会离开硅衬底,进入栅氧化...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。