技术编号:12005377
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体技术领域,特别涉及一种NMOS晶体管及其形成方法、和包括该NMOS晶体管的CMOS晶体管。背景技术众所周知,应力可以改变半导体材料的能隙和载流子迁移率。随着半导体材料压阻效应(PiezoresistanceEffect)的深入研究,业界逐渐认识到,可以利用应力增加MOS器件的载流子迁移率,即应变硅技术(StrainedSilicon)。公开号为US2007/0196992A1的美国专利文献公开了一种具有锗硅和碳化硅源/漏区的应变硅CMOS晶体管,请参考图1,包括:半导体衬底10,...
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