技术编号：12007402
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。半导体器件的源极/漏极结构相关申请的交叉引用本申请要求要求于2013年3月13日提交的标题为“Source/DrainStructureofSemiconductorDevice”的美国临时专利申请第61/780,271号的优先权，其全部内容结合于此作为参考。技术领域本发明涉及集成电路制造，更具体而言，涉及具有源极/漏极结构的半导体器件。背景技术半导体产业在追求更大的器件密度、更好的性能以及更低的成本的过程中已进展到纳米级的技术工艺节点，来自制造和设计方面的挑战已产生了诸如鳍式场效应晶体管（Fi...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。