技术编号:12009872
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及红外发光二极管技术领域,尤其是指一种具有多粗化层的红外发光二极管的粗化方法。背景技术红外发光二极管由于功耗低、尺寸小和可靠性高等优点,广泛应用于通信、遥感装置等领域。现有技术中,采用金属有机化合物气相外延生长具有量子阱的外延结构能取得较高的内量子效率。但是,由于存在外延材料与空气的折射率差较大,容易导致有源层在出光界面上出现全反射,因此,通常对出光界面表面进行粗化,表面粗化技术改善了发光二极管的光萃取率,明显地提升红外发光二极管的外量子效率。公开号为CN101409321A公开一种具界...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。