技术编号:12013594
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。一种基于复合偶极层的AlGaN/GaNHEMT开关器件结构及制作方法技术领域本发明涉及微电子技术领域,尤其是涉及一种基于复合偶极层的AlGaN/GaNHEMT开关器件结构及其制备方法。背景技术近年来以SiC和GaN为代表的第三带宽禁带隙半导体以其禁带宽度大、击穿电场高、热导率高、饱和电子速度大和异质结界面二维电子气浓度高等特性,使其受到广泛关注。在理论上,利用这些材料制作的高电子迁移率晶体管HEMT、发光二极管LED、激光二极管LD等器件比现有器件具有明显的优越特性,因此近些年来国内外研究者对其...
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