技术编号:12014981
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。一种基于栅结构的增强型AlGaN/GaNHEMT器件结构及其制作方法技术领域本发明涉及微电子技术领域,尤其是涉及一种基于偶极子层浮栅结构的增强型AlGaN/GaNHEMT器件及其制作方法。背景技术GaN是为第三代宽禁带隙半导体,它具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率高、饱和电子速度大和异质结界面二维电子气浓度高等特性,使其受到广泛关注。利用GaN材料制成的高迁移率晶体管(HEMT)具有导通电阻低、饱和电流大、击穿电压高等特点,是一种高性能的功率电子器件。因为较强极化电荷的存在,AlGaN/GaN异...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。