技术编号：12015478
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及电化学与材料化学技术等领域，具体的说，是一种电解池。背景技术多孔硅材料因其室温下高量子效率的可见光区发光特性以及与硅集成工艺优良的兼容性，在硅基光电器件、光电集成电路和光敏器件方面具有重要的应用前景。电化学腐蚀法是制备多孔硅材料最常用的一种方法，具有操作简单、参数易控、无需特殊设备等优点。该方法基于电解池原理，以氢氟酸为主电解液，以难与氢氟酸溶液反应的导体碳棒或金属铂为阴极，以单晶硅为阳极，对溶液进行电解，单晶硅在阳极失去电子被氧化。在氧化过程中，单晶硅表面被均匀地腐蚀出一些孔，沿...
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