技术编号:12018846
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。基于增强型AlGaN/GaNHEMT器件结构及其制作方法技术领域本发明属于微电子技术领域,涉及半导体器件制作,具体的说是一种基于增强型AlGaN/GaNHEMT器件结构及制作方法,可用于制作低导通电阻高频率的增强型高电子迁移率晶体管。背景技术近年来以SiC和GaN为代表的第三带宽禁带隙半导体以其禁带宽度大、击穿电场高、热导率高、饱和电子速度大和异质结界面二维电子气浓度高等特性,使其受到广泛关注。在理论上,利用这些材料制作的高电子迁移率晶体管HEMT、发光二极管LED、激光二极管LD等器件比现有器...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。