技术编号：12018849
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于微电子技术领域，具体涉及调节硅化钛(TiSix)和硅之间肖特基接触势垒的方法。背景技术肖特基器件不仅广泛应用于通信、计算机、汽车等电子信息领域，而且应用于航空、航天等国防重点工程，由于钛具有熔点高、比重小、比强度高、韧性好、抗疲劳、耐腐蚀、导热系数低、高低温度耐受性能好、在急冷急热条件下应力小等特点是制作高耐压、低正向压降和高开关速度肖特基二极管的比较理想的新型材料，目前硅化钛/硅肖特基二极管被广泛研究。肖特基器件的性能主要受到肖特基接触势垒的制约。普通硅化钛/硅肖特基整流二极管的接触...
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