技术编号:12028175
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种光电材料,特别是涉及一种掺杂具有高光电响应率、半导体类型可调的黑磷晶体及其制备方法与应用,例如在制备光电探测器中的应用。背景技术黑磷是一种新型二维原子晶体材料,具有高载流子迁移率(~1000cm2/Vs)和开关比(>105),以及可调谐直接带隙(0.3—2eV)等优异性能,弥补了石墨烯的零带隙、过渡金属硫族化物(TMDs)载流子迁移率过低的性能缺陷,是继石墨烯之后又一让半导体技术和产业界感到振奋的二维材料,尤其在新型光电子器件,如:高性能光探测器、光波导、锁模激光、调制器、偏...
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