技术编号：12030538
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及石英坩埚及其制备方法，更具体地，为一种抑制熔融硅液面振动的石英坩埚及其制备方法。背景技术直拉法（CZ）是被广泛用作单晶硅的制造方法，根据CZ法，单晶的籽晶浸入石英坩埚中的熔融硅液表面进行熔接，同时转动籽晶，再反转坩埚，籽晶缓慢向上提升，经过引晶、放大、转肩、等径生长、收尾等过程，形成的单晶硅锭。通常情况下，在石英坩埚与高温熔融硅液会发生如下反应。SiO2(固体)+Si→2SiO(气)。反应生成的SiO气体会不断逸出到熔融硅液表面并会导致液面的振动。熔融硅液表面发生振动时，会引起拉晶开始...
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