技术编号:12030541
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及区熔法单晶生长领域及半导体制造领域,特别涉及一种单晶硅锭及晶圆的形成方法。背景技术单晶硅作为一种半导体材料被广泛应用于半导体器件领域,因此需求量极大,而采用区熔法生长单晶硅是获取单晶硅的一种重要方法。区熔法又称FZ法,即悬浮区熔法。是利用热能在原料棒的一端产生一熔融区,再熔接单晶籽晶。调节温度使熔融区缓慢地向原料棒的另一端移动,通过整根原料棒,生长成一根单晶,晶向与籽晶的相同。区熔法制备硅单晶具有如下优点:1、不使用坩埚,单晶生长过程不会被坩埚材料污染;2、由于杂质分凝和蒸发效应,可以...
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