技术编号：12033581
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体元件技术领域，更具体的说，是涉及一种磁传感器。背景技术霍尔元件是应用霍尔效应的半导体，即为磁场传感器，其一般用于电机中测定转子转速，其作用是检测磁极的位置，且由于霍尔测出的结果只是磁场脉冲。其在磁场力作用下，在金属或通电半导体中将产生霍尔效应，其输出电压与磁场强度成正比，霍尔效应是指磁场作用于载流金属导体、半导体中的载流子时，产生横向电位差的物理现象，其本质是：固体材料中的载流子在外加磁场中运动时，因为受到洛仑兹力的作用而使轨迹发生偏移，并在材料两侧产生电荷积累，形成垂直于电流方...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。