技术编号：12036272
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于电子元器件领域，涉及IPC分类中H01C电阻器设备装置的结构改进以及生产技术，尤其是带金属镀镍铁帽的导电体金属陶瓷阻尼电阻器及生产工艺。背景技术传统的陶瓷阻尼电阻器，其两端依靠银层并加压铜帽的方式导电，但铜的介质膨胀系数较大，容易在脉冲高压和环境温度条件下导致银导电层离子迁移不足，在其工作一段时间后就会失去电阻值的作用，采用贵金属的靶银浆材料做电极，其成本很高。金属陶瓷体电阻器是典型的常用阻尼电阻器，主要是采用SnO2与陶瓷材料混合﹑球磨﹑成型,在高温下烧结而成的一种具有体导电性的实芯...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。