技术编号:12036368
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种用于产生自对准的掩蔽层(Maskierschicht)的方法或一种用于对层进行处理的方法。背景技术在半导体工业中,常规地通过如下方式在层中形成局部的掺杂:掺杂材料要么借助扩散要么借助离子注入而被引入到该层中。为了在层中产生局部掺杂或者掺杂图案,常规地使用光刻工艺。在此,在要掺杂的层上产生被结构化的(strukturiert)光致抗蚀剂层作为掩蔽层,并且紧接着借助所述掩蔽层向该层局部地进行掺杂。被结构化的光致抗蚀剂层通常被称作软掩模(英语:softmask),并且例如通过如下方式产生...
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