技术编号:12036371
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及化合物半导体加工制造领域,尤其涉及一种氮化镓高电子迁移率晶体管栅电极的制作方法。背景技术GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)特有的高电子迁移率、高二维电子气面密度、高击穿电场,使得其具备更高的功率输出密度,被视为下一代射频/微波功率放大器的首选技术。随着场效应晶体管(FET)高频应用需求的急剧增长,提升器件截止频率fT就显得越发重要。作为表征晶体管高速性能的重要参数,器件截止频率fT的近似公式为:其中vs为载流子的饱和迁移速率,Lg为器件栅长。可以看出,栅长对器件的截止频率有着决定性的...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。