技术编号:12036374
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。一种低压逆导FS-IGBT的制备方法技术领域本发明属于半导体技术领域,具体的说是涉及一种低压逆导FS-IGBT的制备方法。背景技术逆导型IGBT是一种新型的IGBT器件,它同时集成了IGBT的原胞结构和FRD元胞结构,为器件的反向电流提供了通路。相对于传统的IGB器件,逆导型IGBT在成本和性能上都具有较大优势。对比逆导IGBT和传统IGBT的差别在于,逆导型IGBT的P+集电区不是连续的,而是间断地引入N+短路区,逆导FS-IGBT的Pwell区、漂移区以及Nbuffer和N+短路区形成一个P...
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