技术编号:12036375
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体芯片制造技术领域,尤其涉及一种带有ESD结构的沟槽型半导体器件及其制造方法。背景技术随着半导体器件的技术发展,人们对半导体器件的性能有着更高的要求,然而,静电放电ESD(Electro-StaticDischarge)现象会在半导体器件封装、运输、使用等各个环节中出现,造成器件被静电击穿而失效,因此在半导体器件中设计ESD保护结构至关重要。目前,对于带有ESD结构的沟槽型半导体器件,如MOSFET、VDMOS器件,常规的制作方法是在沟槽外部平面处的多晶硅层上通过注入N型、P型离子...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。