技术编号:12036400
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种膜层退火设备及退火方法。背景技术薄膜晶体管作为一种重要的电子元件,在显示装置中得到广泛应用。显示装置中通常包括形成在基板上的多个薄膜晶体管,薄膜晶体管包括有源层,在形成有源层时,通常采用磁控溅射工艺在基板上形成半导体膜层,然后对半导体膜层进行退火,然后采用构图工艺例如光刻工艺在经退火后的半导体膜层上进行构图,形成有源层。然而,在采用磁控溅射工艺在基板上形成半导体膜层时,所采用的溅射靶通常有多个半导体靶材拼装在一起而形成的拼装式溅射靶,多个半导体靶材拼装在一起时...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。