技术编号:12038740
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造领域,特别涉及具有双电源加热的区熔炉热场及保温方法。背景技术硅是全球第一产业——电子信息技术产业的基础材料,占全球半导体材料使用量的95%以上。区熔硅单晶由于其独特的生长方式,具有纯度高,均匀性好、缺陷少等优点,适合用于大功率半导体元器件。随着电力电子产业的蓬勃发展,各类新型电力电子器件对大直径区熔硅单晶的需求越来越旺盛,如SR硅整流器、SCR可控硅、GTR巨型晶体管、GTO晶闸管、SITH静电感应晶闸管、IGBT绝缘栅双极晶体管、PIN超高压二极管、智能功率器件(SMART...
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