技术编号:12038767
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明是关于半导体技术的氮化镓基器件领域,具体涉及一种基于自停止刻蚀工艺的凹槽栅氮化镓基增强型器件的制备方法。背景技术以AlGaN/GaN为材料基础的器件统称为氮化镓基器件,例如AlGaN/GaN异质结场效应管(heterostructurefieldeffecttransistors,HFET),异质结双极晶体管(heterostructurebipolartransistor,HBT)等。氮化镓基器件具有击穿场强大、电子迁移率高、饱和速度大等优点,被认为是下一代功率开关器件的有力竞争者,近年...
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