技术编号:12039839
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造领域,尤其涉及一种LDMOS晶体管及其制造方法。背景技术LDMOS晶体管结构被广泛用作诸如高压MOS场效应晶体管的许多类型的晶体管应用的半导体器件。如图1所示,现有技术中一种典型的LDMOS晶体管包括:具有P型阱区的半导体衬底100,用于隔离器件的STI(浅槽隔离结构)101,通过沟道区连接的N+掺杂的源区102b和漏区,以及覆盖沟道区并影响沟道区内电子分布的栅极结构(Gate)103。漏区通常包括漏极接触区102a以及向沟道区(或栅极)方向延伸的漏极漂移区(N-漂移区)10...
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